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电阻,电感,电容,MOSFET主要特性参数

发布日期:2018-09-30   浏览次数:193

 电阻主要特性参数


电阻的主要参数有电阻阻值,允许误差,额定功率,温度系数等

 

1、标称阻值:电阻器上面所标示的阻值。 

 

2、允许误差:标称阻值与实际阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称阻值偏差,它表示电阻器的精度。

 

3、额定功率:在正常的大气压力90-106.6KPa及环境温度为-55℃~+70℃的条件下,电阻器长期工作所允许耗散的最大功率。 

 

4、额定电压:由阻值和额定功率换算出的电压。

 

5、温度系数:温度每变化1℃所引起的电阻值的相对变化。温度系数越。缱璧奈榷ㄐ栽胶。阻值随温度升高而增大的为正温度系数,反之为负温度系数。

 

6、老化系数:电阻器在额定功率长期负荷下,阻值相对变化的百分数,它是表示电阻器寿命长短的参数。

 

7、电压系数:在规定的电压范围内,电压每变化1伏,电阻器的相对变化量。

 

电感器的主要参数


电感器的主要参数有电感量、允许偏差、品质因数、分布电容和额定电流等。

 

1、电感量:电感量也称自感系数,是表示电感器产生自感应能力的一个物理量。

电感器电感量的大。饕【鲇谙呷Φ娜κㄔ咽、绕制方式、有无磁心及磁心的材料等等。通常,线圈圈数越多、绕制的线圈越密集,电感量就越大。有磁心的线圈比无磁心的线圈电感量大;磁心导磁率越大的线圈,电感量也越大。

 

2、允许偏差:允许偏差是指电感器上标称的电感量与实际电感的允许误差值。

一般用于振荡或滤波等电路中的电感器要求精度较高,允许偏差为±0.2%~±0.5%;而用于耦合、高频阻流等线圈的精度要求不高;允许偏差为±10%~15%。

 

3、品质因数:品质因数也称Q值或优值,是衡量电感器质量的主要参数。它是指电感器在某一频率的交流电压下工作时,所呈现的感抗与其等效损耗电阻之比。电感器的Q值越高,其损耗越。试礁。电感器品质因数的高低与线圈导线的直流电阻、线圈骨架的介质损耗及铁心、屏蔽罩等引起的损耗等有关。

 

4、分布电容:分布电容是指线圈的匝与匝之间、线圈与磁心之间存在的电容。电感器的分布电容越。湮榷ㄐ栽胶。

 

5、额定电流:额定电流是指电感器有正常工作时反允许通过的最大电流值。若工作电流超过额定电流,则电感器就会因发热而使性能参数发生改变,甚至还会因过流而烧毁。

电容的主要特性参数


电容的主要参数有电容容值,允许误差,额定工作电压,温度系数等

 

1、容量与误差:实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围,一般分为±5%,±10%,±20%。精密电容器的允许误差较。缃獾缛萜鞯奈蟛罱洗,它们采用不同的误差等级。

 

2、额定工作电压:电容器在电路中能够长期稳定、可靠工作,所承受的最大直流电压,又称耐压。对于结构、介质、容量相同的器件,耐压越高,体积越大。

 

3、温度系数:在一定温度范围内,温度每变化1℃,电容量的相对变化值。温度系数越小越好。

 

4、绝缘电阻:用来表明漏电大小的。一般小容量的电容,绝缘电阻很大,在几百兆欧姆或几千兆欧姆。电解电容的绝缘电阻一般较小。相对而言,绝缘电阻越大越好,漏电也小。

 

5、损耗:在电场的作用下,电容器在单位时间内发热而消耗的能量。这些损耗主要来自介质损耗和金属损耗。通常用损耗角正切值来表示。

 

 

   MOSFET的主要特性参数


 “MOSFET”是英文 MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor 的缩写,译成中文是“金属氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物(SiO2 或 SiN)及半导体三种材料制成的器件

 

MOSFET的主要参数有ID,IDM,VGS,V(BR)DSS,RDS(on) ,VGS(th)

 

1、ID:最大漏源电流。是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过ID。此参数会随结温度的上升而有所减额。

 

2、IDM:最大脉冲漏源电流。此参数会随结温度的上升而有所减额。

 

3、VGS:最大栅源电压。

 

4、V(BR)DSS:漏源击穿电压。是指栅源电压VGS为0时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于V(BR)DSS。它具有正温度特性。故应以此参数在低温条件下的值作为安全考虑。

 

5、RDS(on):在特定的VGS(一般为10V)、结温及漏极电流的条件下,MOSFET导通时漏源间的最大阻抗。它是一个非常重要的参数,决定了MOSFET导通时的消耗功率。此参数一般会随结温度的上升而有所增大。故应以此参数在最高工作结温条件下的值作为损耗及压降计算。

 

6、VGS(th):开启电压(阀值电压)。当外加栅极控制电压VGS超过VGS(th)时,漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。应用中,常将漏极短接条件下ID等于1毫安时的栅极电压称为开启电压。此参数一般会随结温度的上升而有所降低。

 

7、PD:最大耗散功率。是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。此参数一般会随结温度的上升而有所减额。

 

8、Tj:最大工作结温。通常为150℃或175℃,器件设计的工作条件下须确应避免超过这个温度,并留有一定裕量。

 

功率 MOSFET 与双极型功率相比具有如下特点:

 

1、MOSFET 是电压控制型器件(双极型是电流控制型器件),因此在驱动大电流时无需推动级,电路较简单;

2、输入阻抗高;

3、工作频率范围宽,开关速度高(开关时间为几十纳秒到几百纳秒),开关损耗。

4、有较优良的线性区,并且 MOSFET 的输入电容比双极型的输入电容小得多,所以它的交流输入阻抗极高;噪声也。詈鲜手谱 Hi-Fi 音响;

5、功率 MOSFET 可以多个并联使用,增加输出电流而无需均流电阻。

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